“我已經聽我們boss說了，你們中國目前也是有晶圓廠的，那麼有些東西我就省略不講了。下面我就講講你們面前這座氧化爐吧。大家知道，對硅半導體而言，只要在高於或等於1050c的爐管中，通入氧氣或水汽，自然可以將硅晶的表面予以氧化，生長所謂幹氧層(dryz/gateoxide)或溼氧層(wet/fieldoxide)，當作電子組件電性絕緣或製程掩膜之用。氧化是半導體制程中，最乾淨、單純的一種；這也是硅晶材料能夠取得優勢的特性之一。硅氧化層耐得住850c~1050c的後續製程環境，是因爲該氧化層是在前述更高的溫度成長；不過每生長出1微米厚的氧化層，硅晶表面也要消耗掉0.44微米的厚度。
氧化可以說是所以後續工藝的基礎，硅氧化的質量決定了後續晶圓加工的質量，所以我們在氧化製程過程中也會遵循一些特點，當然，這也是我們intel的獨門訣竅。”說完，小白同志在仔細觀察張國棟他們這羣人的反映，讓他得意的是這羣來自中國的土包子果然都豎起了耳朵，嘿嘿，真以爲獨門訣竅是這麼好學的麼，即使告訴他們一點經驗也無關緊要吧，不過當他看到張國棟那種淡然的表情又惱怒起來，心中更是湧起了一定要給張國棟一個震撼看看的情緒，這也讓他不知不覺中將很多原本不打算講地事情給講了出來。所以，衝動是魔鬼啊。
“氧化層的成長速率不是一直維持恆定的趨勢，製程時間與成長厚度之重複性是較爲重要的考量。後長的氧化層會穿透先前長的氧化層而堆積在上面。換句話說，氧化所需之氧或水汽，勢必也要穿透先前成長的氧化層到硅質層。所以如果要生長出更厚地氧化層，遇到的阻礙也越來越大。一般而言，很少成長2微米厚以上之氧化層。注意。是2微米，這還是經過我們intel苦心鑽研地結果。以前連2微米都很難達到。幹氧層主要用於製作金氧半（mos）晶體管的載子信道（channel）；而溼氧層則用於其它較不嚴格講究的電性阻絕或製程罩幕（masking）。前者厚度遠小於後者，1000~1500埃已然足夠。至於如何選擇的問題就要根據自身的條件來調整這個比例了，畢竟對於一個如此燒錢的產業來說，產能在短時間內幾乎是穩定的，連我們intel也沒辦法做到半年一個廠。我想世界上應該還沒有一個廠具備我們這樣地條件吧。”小白說完帶着一點得意和挑釁的眼神望着張國棟他們，可惜張國棟他們來之前可是做足了功課的，要說芯片大戶。那絕對是intel獨霸天下，可要說晶圓廠，那就不是intel一言堂了，所以我們的鐘志華先生就有話說了，“雖然貴公司在晶圓生產方面達到了一個很高的產量，但是日本不是還有東芝，nec等一系列公司的晶圓產能都比你們高麼？”
到底還是20多歲的年輕人，像張國棟這樣心理年齡達到五十歲的老傢伙就不會去在意這些虛名。他吹你只管讓他吹就是了，又不會少一塊肉，又不是什麼涉及到祖國和民族尊嚴地事情，他吹得越猛，不是越方便自己悶聲發大財麼。不過既然自己的員工已經開了口，自己這個做老闆的當然要爲他們出頭了。不然這些鬼佬還真以爲自己這些人是什麼都不知道的鄉巴佬呢。於是張國棟接過話說到。
“沒錯，日本的nec在這方面的確是走上了貴廠地前面，要知道這個時候的日本可是號稱的經濟要很快的趕超你們美國！nec的錢可是多到用不完呢，嘿嘿。”張國棟這傢伙又在利用美國佬的民族自尊心，唉，雖然美國佬是徹頭徹尾的沒有民族的傢伙，可好歹人家長年累月的站在世界最高位，雖然旁邊還有一羣伊萬在虎視眈眈，可美國佬除了害怕他們的核武器以外還真什麼都沒有怕過。現在竟然跳出了個不知死活地小日本，這可真刺痛了這些山姆大叔那高傲地心。
果然。張國棟一提小日本。眼前這位標準的撒克遜後代要不是身上穿着無塵衣可就真要跳起來了，打人不打臉。張國棟這傢伙太壞了，人家最出名地企業紛紛被小日本給買下了，而intel在存儲器市場更是被人打得落花流水。要不是小日本孤寂美國的軍事實力，不得不向山姆大叔的核武低頭，計算機市場鹿死誰手還不知道呢。
不過怎奈張國棟他們是說的是實話，在真理面前總是沒法反駁的，所以我們的小白同志一張臉，即使隔着一層膜也能讓人看見那臉紅得滴血了。真是難爲他了，只見他努力平息了一下自己的心情，嘴裏還不斷的唸唸有詞，或許是說的衝動是魔鬼，衝動是魔鬼，誰知道了。龍騰的這羣傢伙也不爲幾甚，畢竟，無論怎樣人家總比自己的龍騰強多了吧，愉悅了一下自己也就罷了。
“對不同晶面走向的晶圓而言，氧化速率有異：通常在相同成長溫度、條件、及時間下，{111}厚度≧{110}厚度＞{100}厚度。注意，前面已經說過晶向和晶種了。一般的新廠經常不會注意到晶向對氧化速率的影響。導電性能比較好的的硅晶氧化速率較快。適度加入氯化氫氧化層質地較佳，但氯化氫比較容易腐蝕管路，這需要很強的經驗才能處理好這之間的平衡，所以新廠一般比較少用，而且我們intel也馬上就要淘汰這種技術了。”
“接下來我就要給你們講講氧化層厚度的量測了，測量可分破壞性與非破壞性兩類。破壞性測量是在光阻定義阻絕下。泡入緩衝過地氫氟酸（boe，bufferedoxideetch，系hf與nh4f以1：6的比例混合而成的腐蝕劑）將顯lou出來的氧化層去除，lou出不沾水的硅晶表面，然後去掉光阻，利用表面深淺量測儀（surfaceprofileroralphastep），得到有無氧化層之高度差。即其厚度。而非破壞性的測厚法，以橢偏儀(ellipsometer)或是毫微儀（nano-spec）最爲普遍及準確。前者能同時輸出折射率(refractiveindex；用以評估薄膜品質之好壞)及起始厚度b與跳階厚度a(總厚度tma+b)，實際厚度(需確定m之整數值)，仍需與製程經驗配合來判斷。所以我才說即使把我們intel所有的機器搬過去你們也不一定能創造出我們intel一樣地奇蹟，畢竟，最重要的還是人。不同厚度地氧化層會顯現不同的顏色，且有2000埃左右厚度即循環一次的特性。有經驗的可單憑顏色而判斷出大約的氧化層厚度。而我們intel就有大量的技術人員能憑着一雙眼睛判斷出來。不過如果超過1.5微米以上的厚度時，氧化層顏色便漸不明顯。”
小白同志給張國棟他們一口氣介紹了這麼多也算難得了。雖然在關鍵地方語焉不詳，以及習慣性地跳躍省略，但結合着面前充滿了現代化美感的設備和廠房，倒也讓龍騰一幹技術人員咋舌不已，原來以前真的是坐井觀天了。很多人在加入龍騰科技前，在國家的什麼叉叉研究所，那條件，實在是。雖然毛主席時期中國的半導體產業曾經一度拉小自己跟世界先進國家的差距。可是就像中國造原子彈一樣，都是在極其簡陋的環境中生產過來的實驗室產品，對於這種大規模應用，造出來地東西就嚴重的缺乏市場競爭力。
“好啦，時間也差不多過去了兩個小時了，頭兒吩咐給我的是三個小時。你們說說還想瞭解一些什麼技術和設備？”雖然說心理有點不耐煩，但小白還是有點職業道德的，所以對於自己上司說的三個小時那是絕對不敢打折扣的。
張國棟他們稍微地討論了一下，最後還是由張國棟決定看微影得了，畢竟有的東西可能讓他們看到了intel也不會說明，張國棟還沒有神奇到只需要看一眼就知道相關技術，他知道這麼多還是前世他當intel的技術指導時乘機瞭解的，但他也不是萬能的啊。
“ok，你們選擇了微影，那麼接下來我會分爲五塊來介紹它。第一塊兒自然是正負光阻了。其實微影光蝕刻術起源於照相製版的技術。這個我就不多作介紹。相信很多資料上面都可以查找得到。自1970年起，微影光蝕刻術開始大量使用於半導體制程之圖形轉寫複製中。原理在我們現在看來是特別簡單的。利用對紫外線敏感之聚合物，或所謂光阻之受曝照與否，來定義該光阻在顯影液中是否被蝕除，而最終留下與遮掩罩幕，即光罩（mask）相同或明暗互補之圖形；相同者稱之正光阻，明暗互補者稱之負光阻(negativeresist)。一般而言，正光阻，其分辨率及邊緣垂直度均佳，但易變質，儲存期限也較短，大約半年到一年之間，常用於學術或研發單位；而負光阻之邊緣垂直度較差，但可儲存較久，常爲半導體業界所使用。當然我這也只是一個建議，至於具體要如何用，當然得看你們自己了。第二塊兒就是我剛剛提到過的光罩。
光罩製作，是微影的關鍵技術之一。光罩製作的方式已經經過了幾十年地演進。最開始地時候是由分辨率極差的縮影機技術，改良爲直接以計算機輔助設計製造軟件控制地雷射束或電子束書寫機，在具光阻之石英玻璃板上進行書寫(曝光)，分辨率(最小線寬)也改進到微米的等級。當然我們也得感謝軟件技術地發展。據我所知，張先生的公司也是世界上最出名的獨立軟件公司之一吧。”開來小白同志也不是完全的小白，好歹他還是知道這是由在intel獲得廣泛尊敬的虞有程先生介紹過來的，得罪人也不能得罪得太狠，幸虧那還用過壓縮軟件，知道面前這位就是壓縮霸王的掌門人，不大不小地拍了個馬匹。
雖然人家表揚的是軟件事業部地同仁。和他們硬件事業部扯不上半點關係，但好歹也是一個公司的。被打擊了這麼久，好不容易勃起一回，這些傢伙終於是驕傲的昂起了頭，連幾個老傢伙都一樣，這也讓張國棟不由得苦笑起來，這些傢伙啊，真是給了一點陽光就燦爛。
“第三塊兒就是對準機了。其實在學術或研發單位中。電路上佈局是非常簡易的，一套電路佈局可全部寫在一片光罩中，甚至可以多次多重複。加上加上學術上使用硅晶圓尺寸較小，配合使用的光罩本來就不大。所以搭配使用的硅晶圓曝光機臺爲一般的光罩對準機，而且據我們intel自己地研發人員說效果還是蠻不錯的。當然，換句話說，一片晶圓只需一次對準曝光，便可進行之後的顯影及烤乾程序。當然只是一種簡化的程序和步驟，但是效果還是很不錯的。不過在我們業界中，使用的晶圓那要比學術上的大得多，學術上用的晶圓片幾乎就是我們地下腳料。當然，光罩的大小一般是固定化的，我們不可能任意造出5寸或11寸大小的光罩來進行對準曝光：一來電子束書寫機在製備這樣大的光罩時。會耗損巨量的時間，極不劃算；二來，大面積光罩進行光蝕刻曝光前必須要與晶圓對準，要知道大面積精密定位及防震等問題，在業界看來是極爲棘手地，爲此所耗費的花費也是極大和極不劃算的！所以我們工業界一般採用步進機進行對準曝光；也就是說，即使晶圓大到6寸或8寸，但光罩大小還是隻需要小小的1~2寸見方。這樣做有明顯的優點，一來光罩製備快速，二來小面積對準的問題也比較少；只是要曝滿整片晶圓。可能要往復花上數十次對準→曝光→移位的重複動作。但即便如此。由於每次對準→曝光→移位這個過程僅費時1秒左右，一片晶圓的總曝光時間仍控制在1分鐘以內。而保持了工廠的高投片率(highthrough-put；即單位時間內完成製作之硅芯片數。）雖然不知道貴廠的晶圓是幾寸地，但是我覺得你們最好還是一開始就使用步進機，畢竟也可以爲後面積累一點經驗。”小白同志是難得地說了幾句誠懇話，不過他說得也確實有道理，雖然龍騰一下子上馬6寸的項目有困難，但就像小白說地一樣，經驗！設備的使用也是需要經驗的！張國棟認同的點了點頭，主管晶圓的屠紅剛博士那雙眼睛又開始發起光來，本來自己手下的都去龍晶電子去實習了讓他這個光桿司令是很不爽的，不過在聽說張國棟要重新建設一座新的晶圓廠後他馬上開心了起來，以後自己也就是一方諸侯了，現在又聽說要買好設備，他當然高興！
“第四塊兒是光阻塗布。說實在的，這塊兒很重要。晶圓上微米厚度等級的光阻，是採用旋轉離心（spin-coating）的方式塗布上去。其典型程序包括：晶圓表面前處理：即在150°c下烘烤一段時間。若表面無氧化層，要另外先上助粘劑，如hmds，再降回室溫。換言之，芯片表面在塗敷光阻前要確保是親水性。第二步是送晶圓上真空吸附的轉檯，注入光阻，開始由低轉速甩出多餘的光阻並均布之，接着以轉速數千轉每秒，減薄光阻至所需厚度。第三步將晶圓表層光阻稍事烤乾定型，防止沾粘。但不可過幹過硬，而妨礙後續的曝光顯影，這也是個度的問題，需要你們去反覆實驗，不可能一蹴而就，這沒有一個固定的標準。一般光阻塗布機的塗布結果是厚度不均。尤其在晶圓邊緣部份，可能厚達其它較均勻部份的光阻3倍以上。另外，爲了確保光阻全然塗布到整片晶圓，通常注入光阻的劑量，是真正塗布粘着在晶圓上之數十甚至數百倍，極其可惜；因爲甩到晶圓外的光阻中有機溶劑迅速揮發逸散，成份大變，不能回收再使用。第五塊兒也就是最後一塊兒是厚光阻。德國karl-suss公司開發了一種新型的光阻塗布機，稱爲gyrset。他們正在向我們推銷，據他們自己說的其賣點在於可減少一半的光阻用量，且得出更均厚的光阻分佈。其原理極爲單純：只是在真空轉檯上加裝了跟着同步旋轉的蓋子。如此一來，等於強迫晶圓與蓋子之間的空氣跟着旋轉，那麼光阻上便無高轉速差的粘性旋轉拖曳作用。故光阻在被塗布時，其與周遭流體之相對運動並不明顯，只是離心的徹體力效果，使光阻穩定地、且是呈同心圓狀地向外塗布。”
“好啦，時間也差不多了，這身行頭穿着也有一定的分量，先生們，請隨我離場吧。”張國棟真懷疑這傢伙是個德國人，要知道這世界只有嚴謹得像鋼條的德國人纔會把時間恰得這麼準，完全沒有超過一分鐘。
儘管還有點意猶未盡，但張國棟知道，這已經是人家給了虞有程天大的面子了，如果不是虞有程，就張國棟這種單單的一個合作夥伴身份，那絕對不可能讓他們參觀得這麼仔細的。雖然沒有得到一個字的資料，但是這一行大大的開了龍騰科技的這些骨幹的眼界。人說眼界決定一切，從此以後龍騰科技開始告別那種作坊式的科研和生產方式，徹底走入現代化，可以說這趟intel之行還是大大的有功的！
從intel出來，已經是中午十一點多快十二點了，這個時候還沒到後世美國垃圾食品佔據中國主流市場的年代，所以這些人可是一百個喫不慣美國食品的，好在有華人的地方就有唐人街，雖然沒有洛杉磯這樣的主流唐人街熱鬧，但好歹找到那麼箇中餐館還是不難，所以張國棟就帶着這麼一大羣人浩浩蕩蕩的殺向唐人街，幸虧他們中是老的老，小的小，而且還有些是步履蹣跚，否則還指不定讓人誤會成黑社會呢。
按道理intel是管飯的，不過他們以喫不習慣爲藉口給出來了，畢竟談合作是老闆張國棟的事情，和他們這些技術人員是屁事兒也沒關，如果張國棟是個一點技術也不懂的老闆他們說不定還得在旁邊指點一下，以防被騙。可現在這小屁孩兒是啥都懂，而且往深度上走張國棟也是厲害非常，人家說事有反常必有妖，可張國棟這小子比妖還厲害，也就由不得他們這羣平常鼻孔朝天的傢伙不佩服了。
中餐館的老闆眼見來了這麼大一羣同胞，俗話說得好，老鄉見老鄉，兩眼淚汪汪，可是他們這樣的人什麼沒見過，自然不會一見老鄉就淚汪汪了，可是激動還是難免的，催促夥計的聲音都大了一些。這麼大一羣人湧入，讓中餐館這種理論上小本經營的地方一下子滿了起來。張國棟前世也在美國呆過，自然能夠理解這樣一種激動的心情。正好隊伍裏面也有四川人，這讓老闆一口子川話就丟了出來。！~！
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